半導(dǎo)體制造對(duì)雜質(zhì)的控制已達(dá)到PPT（萬億分之一）級(jí)別，任何微小的金屬離子污染都可能導(dǎo)致芯片報(bào)廢。萊伯泰科憑借深厚的無機(jī)分析功底，為半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈（硅材料、濕電子化學(xué)品、光刻膠、拋光液等）提供了一套全流程、一站式的檢測(cè)方案。

• 守護(hù)純凈的“基石”：超凈實(shí)驗(yàn)室建設(shè)與百級(jí)進(jìn)樣柜 

  痕量分析的前提是環(huán)境的純凈。萊伯泰科提供專業(yè)的超凈實(shí)驗(yàn)室整體建設(shè)方案，從整體規(guī)劃、凈化系統(tǒng)到抗腐蝕通風(fēng)柜，確保檢測(cè)環(huán)境滿足極高標(biāo)準(zhǔn)。特別是專為半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的百級(jí)進(jìn)樣柜，提供可靠的無污染低本底的局部前處理環(huán)境，可以局部實(shí)現(xiàn)百級(jí)或十級(jí)，進(jìn)一步避免環(huán)境對(duì)樣品沾污，為超痕量分析奠定了堅(jiān)實(shí)的背景基礎(chǔ)。

• 效率與精準(zhǔn)的“保障”：電熱消解設(shè)備
  針對(duì)半導(dǎo)體材料復(fù)雜的基質(zhì)，萊伯泰科的電熱消解設(shè)備采用高純防腐材料，精準(zhǔn)控溫。在處理高純石英砂、電子級(jí)多晶硅等樣品時(shí)，確保了極高的消解效率和重復(fù)性。

• 國(guó)產(chǎn)替代的“硬核”核心：ICP-MS 與ICP-MS/MS

  這是萊伯泰科在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)“從0到1”突破的關(guān)鍵陣地：
  

  LabMS 3000 ICP-MS：打破國(guó)外壟斷，率先實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)ICP-MS 在半導(dǎo)體頭部企業(yè)芯片生產(chǎn)線端的驗(yàn)證與應(yīng)用，具有高性能冷等離子體、專利接口、加強(qiáng)型離子透鏡系統(tǒng)、完善可靠的EMO 及Interlock 等安全配置，應(yīng)用于分析成熟制程中硅片和低純度材料等樣品的痕量雜質(zhì)元素污染。
  

  LabMS 5000 ICP-MS/MS：作為旗艦級(jí)產(chǎn)品，兩套高性能四極桿質(zhì)量分析器結(jié)合新一代軸向加速六極桿碰撞反應(yīng)池提供了強(qiáng)大的干擾去除能力，疊加高性能冷等離子體，LabMS 5000提供了超低的背景等效濃度和優(yōu)異的檢測(cè)限，能夠輕松應(yīng)對(duì)先進(jìn)制程中硅片、濕電子化學(xué)品、高純PFA、CMP 拋光液等高純度材料中的超痕量元素分析。

萊伯泰科不僅在實(shí)驗(yàn)室里做研究，更在生產(chǎn)一線解決難題。目前，我們的解決方案已在以下領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)安裝并投入使用：

• 頭部企業(yè)入駐：萊伯泰科ICP-MS已成功進(jìn)入我國(guó)多家芯片制造、濕電子化學(xué)品和面板頭部生產(chǎn)企業(yè)，直接服務(wù)于生產(chǎn)線質(zhì)量控制。

• 產(chǎn)學(xué)研深度融合：萊伯泰科ICP-MS及前處理設(shè)備已入駐清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院等頂尖科研機(jī)構(gòu)的半導(dǎo)體研究室，助力國(guó)家基礎(chǔ)學(xué)科攻關(guān)。
  

• 全鏈條覆蓋：從多晶硅基體金屬雜質(zhì)檢測(cè)、濕電子化學(xué)品監(jiān)測(cè)到硅片表面金屬離子在線監(jiān)測(cè)，萊伯泰科助力客戶實(shí)現(xiàn)從原料進(jìn)廠到成品出廠的全生命周期質(zhì)量把控。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈“自主可控”的時(shí)代背景下，國(guó)產(chǎn)替代不再是一句口號(hào)，而是實(shí)實(shí)在在的技術(shù)跨越。萊伯泰科將繼續(xù)以核心技術(shù)為驅(qū)動(dòng)，通過“設(shè)備+服務(wù)+方案”的多維矩陣，助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跨越重重干擾，預(yù)見“微”觀未來！

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